TF lab 系列臺式單點(diǎn)測試設備

TF lab 系列臺式單點(diǎn)測試設備

TF lab 系列，允許導電性薄膜和在非接觸模式薄的金屬層的層厚度測量的手動(dòng)單點(diǎn)測量。緊湊的臺式設備非常適合快速準確地測量最大的樣品。除了測量薄導電層之外，還可以分析摻雜的晶片和導電聚合物。

優(yōu)勢

非接觸式實(shí)時(shí)測量

精確測量導電薄膜

隱藏和封裝導電層的表征

測量數據保存和導出功能

測量

薄層電阻

金屬層厚度測量

單點(diǎn)測量

質(zhì)量控制，輸入和輸出控制

測量范圍：0.1 mOhm/sq 到 100 kOhm/sq

應用

涂層建筑玻璃，例如 LowE

顯示器、觸摸屏和平板顯示器

OLED 和 LED 應用

智能玻璃

石墨烯層

光伏晶片和電池

半導體晶片

金屬化層和晶圓金屬化

除冰和加熱應用

電池電極

導電涂層紙和導電紡織品

類(lèi)型

薄層電阻測試儀 （Ohm/sq、OPS、Ohm per square）

金屬層厚度測試儀 (nm, µm, mil)

各向異性和薄層電阻測試儀 (MD/TD)

濕涂層厚度和殘留水分 – HF

電阻率和電導率測試儀 – (mOhm cm, MS/m)

測量界面

TF lab 2020 系列 非接觸式單點(diǎn)薄層測試儀

2021年12月10日,星期五

15:02

TF lab 2020 系列，允許導電性薄膜和在非接觸模式薄的金屬層的層厚度測量的手動(dòng)單點(diǎn)測量。緊湊的臺式設備非常適合快速準確地測量最大的樣品。除了測量薄導電層之外，還可以分析摻雜的晶片和導電聚合物。

優(yōu)勢

非接觸式實(shí)時(shí)測量

精確測量導電薄膜

隱藏和封裝導電層的表征

測量數據保存和導出功能

測量

薄層電阻

金屬層厚度測量

單點(diǎn)測量

質(zhì)量控制，輸入和輸出控制

樣品尺寸：10 x 10 mm² 到 200 x 200 mm²（0.5 x 0.5 英寸到 8 x 8 英寸）

測量范圍：0.1 mOhm/sq 到 100 kOhm/sq

應用

涂層建筑玻璃，例如 LowE

顯示器、觸摸屏和平板顯示器

OLED 和 LED 應用

智能玻璃

石墨烯層

光伏晶片和電池

半導體晶片

金屬化層和晶圓金屬化

除冰和加熱應用

電池電極

導電涂層紙和導電紡織品

軟件和設備控制

非常人性化的軟件

直觀(guān)的觸摸顯示導航

實(shí)時(shí)測量薄層電阻和層厚

軟件輔助手動(dòng)映射選項

各種數據保存和導出選項

電阻測試儀參數

基材	箔、玻璃、晶片等
基板面積	8 英寸/204 毫米 x 204 毫米
最大限度。樣品厚度/傳感器間隙	3 / 5 / 10 / 25 毫米（由最厚的樣品定義）
金屬薄膜（例如銅）的厚度測量范圍	2 nm – 2 mm（根據薄層電阻）
設備尺寸 (w/h/d)	11.4” x 5.5” x 17.5” / 290 毫米 x 140 毫米 x 445 毫米
重量	10公斤
更多可用功能	薄層電阻測量/金屬厚度檢測
	VLSR	LSR	MSR	HSR	VHSR
范圍 [歐姆/平方]	0.0001 – 0.1	0.1 – 10	0.1 – 100	10 – 2000	1,000 – 200,000
精度/偏差			± 1%	± 1 – 3%	± 3 – 5%
重復性 (2σ)			< 0.3%	< 0.5%	< 0.3%

* VLSR - 極低薄層電阻，LSR - 低薄層電阻，MSR - 中等薄層電阻，HSR - 高薄層電阻，VHSR - 極高薄層電阻

升級測試

薄層電阻測試儀 （Ohm/sq、OPS、Ohm per square）

金屬層厚度測試儀 (nm, µm, mil)

各向異性和薄層電阻測試儀 (MD/TD)

濕涂層厚度和殘留水分 – HF

電阻率和電導率測試儀 – (mOhm cm, MS/m)

測量界面